Name: 1200V Aandrijving van de de Moduleff200r12kt4 Macht van de omschakelaars Dubbele IGBT Halve Brug 62mm Serie C
Brand: Infineon
SKU: FF200R12KT4
Price: 1 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (173 reviews)

Thuis Producten IGBT Power Module

1200V Aandrijving van de de Moduleff200r12kt4 Macht van de omschakelaars Dubbele IGBT Halve Brug 62mm Serie C

Productdetails:

Plaats van herkomst:	China
Merknaam:	Infineon
Modelnummer:	FF200R12KT4

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal:	1 set
Verpakking Details:	Houten doos verpakking
Levertijd:	25 dagen na het ondertekenen van het contract
Betalingscondities:	T/T
Levering vermogen:	1000sets

Contact

Gedetailleerde productomschrijving

VCES:

1200V

IC nom IC:

200A

IC:

320A

ICRM:

400A

Hoog licht:

hoge machts igbt module

automobieligbt

helft-brug 62mm Serie C 1200 V, module van de de machtsaandrijving van omschakelaars de dubbele IGBT modules FF200R12KT4

Maximum Geschatte Waarden

Collector-zender voltage	Tvj = 25°C	VCES	1200	V
Ononderbroken gelijkstroom-collectorstroom	TC = 100°C, maximum Tvj = 175°C TC = 25°C, maximum Tvj = 175°C	IC nom IC	200 320	A A
Herhaalde piekcollectorstroom	tP = 1 Mej.	ICRM	400	A
Totale machtsdissipatie	TC = 25°C, Maximum Tvj = 175°C	Ptot	1100	W
Poort-zender piekvoltage		VGES	+/-20	V

Kenmerkende Waarden

Collector-zender verzadigingsvoltage	IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C	Gezeten VCE		1,75 2,05 2,10	2,15	V VV
Het voltage van de poortdrempel	IC = 7,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C	VGEth	5,2	5,8	6,4	V
Poortlast	VGE = -15 V… +15 V	QG		1,80		µC
Interne poortweerstand	Tvj = 25°C	RGint		3,8		Ω
Inputcapacitieve weerstand	F = 1 Mhz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V	Cies		14,0		N-F
Omgekeerde overdrachtcapacitieve weerstand	F = 1 Mhz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V	Cres		0,50		N-F
De collector-zender sneed stroom af	VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C	BEVRIEST			5,0	mA
Poort-zender lekkagestroom	VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C	IGES			400	Na
De tijd van de inschakelenvertraging, aanleidinggevende lading	IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C	td		0,16 0,17 0,18		µs µs µs
Stijgingstijd, aanleidinggevende lading	IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C	RT		0.045 0,04 0,50		µs µs µs
De tijd van de productvertraging, aanleidinggevende lading	IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C	td weg		0,45 0,52 0,54		µs µs µs
Dalingstijd, aanleidinggevende lading	IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C	tf		0,10 0,16 0,16		µs µs µs
Het verlies van de inschakelenenergie per impuls	IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 4000 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C	Eeuwigheid		10,0 15,0 17,0		19,0 30,0 36,0
Het verlies van de productenergie per impuls	IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 4500 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 2,4 Ω Tvj = 150°C	Eoff		14,0 20,0 23,0		mJ mJ mJ
Sc-gegevens	VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES - LsCE ·di/dt tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C	ISC		800		mJ mJ mJ
Thermische weerstand, verbinding tegen geval	IGBT/per IGBT	RthJC			0.135	K/W
Thermische weerstand, caseto heatsink	ELKE IGBT/PER IGBT λPaste = 1 W (m·K)/λgrease = 1 W (m·K)	RthCH		0.034		K/W
Temperatuur in de omschakelingsomstandigheden		Tvj op	-40		150	°C