Name: De Module FF50R12RT4 34mm 1200V Dubbele IGBT van de Infineonigbt Macht met Snelle Geul/Fieldstop
Brand: Infineon
SKU: FF50R12RT4
Rating: 4.9 (161 reviews)

Thuis Producten IGBT Power Module

De Module FF50R12RT4 34mm 1200V Dubbele IGBT van de Infineonigbt Macht met Snelle Geul/Fieldstop

Productdetails:

Plaats van herkomst:	China
Merknaam:	Infineon
Modelnummer:	FF50R12RT4

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal:	1 set
Verpakking Details:	Houten doos verpakking
Levertijd:	25 dagen na het ondertekenen van het contract
Betalingscondities:	T/T
Levering vermogen:	1000sets

Contact

Gedetailleerde productomschrijving

VCES:	1200V	IC nom:	50A
ICRM:	100A	Toepassingen:	Motoraandrijving
Elektroeigenschappen:	Lage Omschakelingsverliezen
Hoog licht:	hoge machts igbt module , automobieligbt

Infineonff50r12rt4 bekende 34 mm 1200V dubbele IGBT modules met snelle Gecontroleerde geul/fieldstop IGBT4 en Zender

Typische Toepassingen

• Hoge Machtsconvertors

• Motoraandrijving

• UPS-Systemen

Elektroeigenschappen

• Uitgebreide Verrichtingstemperatuur Tvj op

• Lage Omschakelingsverliezen

• Lage VCEsat

• Tvj op = 150°C

• VCEsat met positieve Temperatuurcoëfficiënt

Mechanische Eigenschappen

• Geïsoleerde Grondplaat

• Standaardhuisvesting

IGBT, Omschakelaar

Maximum Geschatte Waarden

Collector-zender voltage	Tvj = 25°C	VCES	1200	V
Ononderbroken gelijkstroom-collectorstroom	TC = 100°C, maximum Tvj = 175°C	IC nom	50	A
Herhaalde piekcollectorstroom	tP = 1 Mej.	ICRM	100	A
Totale machtsdissipatie	TC = 25°C, maximum Tvj = 175°C	Ptot	285	W
Poort-zender piekvoltage		VGES	+/-20	V

Kenmerkende Waarden

Collector-zender verzadigingsvoltage	IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C	Gezeten VCE		1,85 2,15 2,25	2,15	V VV
Het voltage van de poortdrempel	IC = 1,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C	VGEth	5,2	5,8	6,4	V
Poortlast	VGE = -15 V… +15 V	QG		0,38		µC
Interne poortweerstand	Tvj = 25°C	RGint		4,0		Ω
Inputcapacitieve weerstand	F = 1 Mhz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V	Cies		2,80		N-F
Omgekeerde overdrachtcapacitieve weerstand	F = 1 Mhz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V	Cres		0,10		N-F
De collector-zender sneed stroom af	VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C	BEVRIEST			1.0	mA
Poort-zender lekkagestroom	VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C	IGES			100	Na
De tijd van de inschakelenvertraging, aanleidinggevende lading	IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C	td		0,13 0,15 0,15		µs µs µs
Stijgingstijd, aanleidinggevende lading	IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C	RT		0,02 0,03 0.035		µs µs µs
De tijd van de productvertraging, aanleidinggevende lading	IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C	td weg		0,30 0,38 0,40		µs µs µs
Dalingstijd, aanleidinggevende lading	IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C	tf		0.045 0,08 0,09		µs µs µs
Het verlies van de inschakelenenergie per impuls	IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 1300 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C	Eeuwigheid		4,50 6,50 7,50		19,0 30,0 36,0
Het verlies van de productenergie per impuls	IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 3800 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C	Eoff		2,50 4,00 4,50		mJ mJ mJ
Sc-gegevens	VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES - LsCE ·di/dt tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C	ISC		180		mJ mJ mJ
Thermische weerstand, verbinding tegen geval	IGBT/per IGBT	RthJC			0,53	K/W
Thermische weerstand, caseto heatsink	ELKE IGBT/PER IGBT λPaste = 1 W (m·K)/λgrease = 1 W (m·K)	RthCH		0.082		K/W
Temperatuur in de omschakelingsomstandigheden		Tvj op	-40		150	°C