logo

details van de producten

Created with Pixso. Thuis Created with Pixso. Producten Created with Pixso.
IGBT Power Module
Created with Pixso.

Infineon Automobieligbt Module, de Convertors FF1200R12IE5 van de Hoge Machtsigbt Module

Infineon Automobieligbt Module, de Convertors FF1200R12IE5 van de Hoge Machtsigbt Module

Merknaam: Infineon
Modelnummer: FF1200R12IE5
MOQ: 1 set
Betalingsvoorwaarden: T/T
Toeleveringsvermogen: 1000sets
Gedetailleerde informatie
Plaats van herkomst:
China
VCES:
1200V
IC nom:
1200A
ICRM:
2400A
Verpakking Details:
Houten doos verpakking
Levering vermogen:
1000sets
Markeren:

hoge machts igbt module

,

eupec igbt module

Productbeschrijving

De Automobieligbt aandrijving van de de convertorsff1200r12ie5 Motor van de de Modules Hoge macht van Infineon Technologies

Typische Toepassingen
• Hoge machtsconvertors
• Motoraandrijving
• UPS-systemen


Elektroeigenschappen
• Uitgebreide werkende temperatuur Tvj op
• Hoog kort:sluitenvermogen
• Onverslaanbare robuustheid
• Tvj op = 175°C
• Geul IGBT 5

Mechanische Eigenschappen
• Pakket met CTI>400
• Hoge machtsdichtheid
• Hoge macht en thermisch het cirkelen vermogen
• Hoge creepage en ontruimingsafstanden

IGBT-Omschakelaar
Maximum Geschatte Waarden

Collector-zender voltage Tvj = 25°C VCES 1200 V
Ononderbroken gelijkstroom-collectorstroom TC = 80°C, maximum Tvj = 175°C IC nom 1200 A
Herhaalde piekcollectorstroom tP = 1 Mej. ICRM 2400 A
Poort-zender piekvoltage VGES +/-20 V

Kenmerkend Waarden min. type. max.

Collector-zender verzadigingsvoltage

IC = 1200 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C

IC = 1200 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C

IC = 1200 A, VGE = 15 V Tvj = 175°C

Gezeten VCE

1,70

2,00

2,15

2,15

2,45

2,60

VVV
Het voltage van de poortdrempel IC = 33,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,25 5,80 6,35 V
Poortlast VGE = -15 V… +15 V, VCE = 600V QG 5,75 µC
Interne poortweerstand Tvj = 25°C RGint 0,75
Inputcapacitieve weerstand F = 1 Mhz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 65,5 N-F
Omgekeerde overdrachtcapacitieve weerstand F = 1 Mhz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 2,60 N-F
De collector-zender sneed stroom af VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C BEVRIEST 5,0 mA
Poort-zender lekkagestroom VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 Na
De tijd van de inschakelenvertraging, aanleidinggevende lading IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGon = 0,82 Ω Tvj = 175°C
td 0,20
0,23
0,25
µs
µs
µs
Stijgingstijd, aanleidinggevende lading IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGon = 0,82 Ω Tvj = 175°C
RT 0,16
0,17
0,18
µs
µs
µs
De tijd van de productvertraging, aanleidinggevende lading IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGoff = 0,82 Ω Tvj = 175°C
td weg 0,48
0,52
0,55
µs
µs
µs
Dalingstijd, aanleidinggevende lading IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGoff = 0,82 Ω Tvj = 175°C
tf 0,08
0,11
0,13
µs
µs
µs
Het verlies van de inschakelenenergie per impuls IC = 1200 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 6000 A/µs (Tvj = 175°C) Tvj = 125°C
RGon = 0,82 Ω Tvj = 175°C
Eeuwigheid 80,0
120
160
mJ
mJ
mJ
Het verlies van de productenergie per impuls IC = 1200 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 2800 V/µs (Tvj = 175°C) Tvj = 125°C
RGoff = 0,82 Ω Tvj = 175°C
Eoff 130
160
180
mJ
mJ
mJ
Sc-gegevens VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V
VCEmax = VCES - LsCE ·di/dt tP ≤ 10 µs, Tvj = 175°C
ISC 4000 A
Thermische weerstand, verbinding tegen geval IGBT/per IGBT RthJC 28,7 K/kW
Thermische weerstand, geval tegen heatsink IGBT/per IGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH 22,1 K/kW
Temperatuur in de omschakelingsomstandigheden Tvj op -40 175 °C

Infineon Automobieligbt Module, de Convertors FF1200R12IE5 van de Hoge Machtsigbt Module 0