Name: Infineon Automobieligbt Module, de Convertors FF1200R12IE5 van de Hoge Machtsigbt Module
Brand: Infineon
SKU: FF1200R12IE5
Price: 1 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (175 reviews)

Thuis Producten IGBT Power Module

Infineon Automobieligbt Module, de Convertors FF1200R12IE5 van de Hoge Machtsigbt Module

Productdetails:

Plaats van herkomst:	China
Merknaam:	Infineon
Modelnummer:	FF1200R12IE5

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal:	1 set
Verpakking Details:	Houten doos verpakking
Levertijd:	25 dagen na het ondertekenen van het contract
Betalingscondities:	T/T
Levering vermogen:	1000sets

Contact

Gedetailleerde productomschrijving

VCES:

1200V

IC nom:

1200A

ICRM:

2400A

Hoog licht:

hoge machts igbt module

eupec igbt module

De Automobieligbt aandrijving van de de convertorsff1200r12ie5 Motor van de de Modules Hoge macht van Infineon Technologies

Typische Toepassingen
• Hoge machtsconvertors
• Motoraandrijving
• UPS-systemen

Elektroeigenschappen
• Uitgebreide werkende temperatuur Tvj op
• Hoog kort:sluitenvermogen
• Onverslaanbare robuustheid
• Tvj op = 175°C
• Geul IGBT 5

Mechanische Eigenschappen
• Pakket met CTI>400
• Hoge machtsdichtheid
• Hoge macht en thermisch het cirkelen vermogen
• Hoge creepage en ontruimingsafstanden

IGBT-Omschakelaar
Maximum Geschatte Waarden

Collector-zender voltage	Tvj = 25°C	VCES	1200	V
Ononderbroken gelijkstroom-collectorstroom	TC = 80°C, maximum Tvj = 175°C	IC nom	1200	A
Herhaalde piekcollectorstroom	tP = 1 Mej.	ICRM	2400	A
Poort-zender piekvoltage		VGES	+/-20	V

Kenmerkend Waarden min. type. max.

Collector-zender verzadigingsvoltage	IC = 1200 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C IC = 1200 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C IC = 1200 A, VGE = 15 V Tvj = 175°C	Gezeten VCE		1,70 2,00 2,15	2,15 2,45 2,60	VVV
Het voltage van de poortdrempel	IC = 33,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C	VGEth	5,25	5,80	6,35	V
Poortlast	VGE = -15 V… +15 V, VCE = 600V	QG		5,75		µC
Interne poortweerstand	Tvj = 25°C	RGint		0,75		Ω
Inputcapacitieve weerstand	F = 1 Mhz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V	Cies		65,5		N-F
Omgekeerde overdrachtcapacitieve weerstand	F = 1 Mhz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V	Cres		2,60		N-F
De collector-zender sneed stroom af	VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C	BEVRIEST			5,0	mA
Poort-zender lekkagestroom	VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C	IGES			400	Na
De tijd van de inschakelenvertraging, aanleidinggevende lading	IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 0,82 Ω Tvj = 175°C	td		0,20 0,23 0,25		µs µs µs
Stijgingstijd, aanleidinggevende lading	IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 0,82 Ω Tvj = 175°C	RT		0,16 0,17 0,18		µs µs µs
De tijd van de productvertraging, aanleidinggevende lading	IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGoff = 0,82 Ω Tvj = 175°C	td weg		0,48 0,52 0,55		µs µs µs
Dalingstijd, aanleidinggevende lading	IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGoff = 0,82 Ω Tvj = 175°C	tf		0,08 0,11 0,13		µs µs µs
Het verlies van de inschakelenenergie per impuls	IC = 1200 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 6000 A/µs (Tvj = 175°C) Tvj = 125°C RGon = 0,82 Ω Tvj = 175°C	Eeuwigheid		80,0 120 160		mJ mJ mJ
Het verlies van de productenergie per impuls	IC = 1200 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 2800 V/µs (Tvj = 175°C) Tvj = 125°C RGoff = 0,82 Ω Tvj = 175°C	Eoff		130 160 180		mJ mJ mJ
Sc-gegevens	VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES - LsCE ·di/dt tP ≤ 10 µs, Tvj = 175°C	ISC		4000		A
Thermische weerstand, verbinding tegen geval	IGBT/per IGBT	RthJC			28,7	K/kW
Thermische weerstand, geval tegen heatsink	IGBT/per IGBT λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)	RthCH		22,1		K/kW
Temperatuur in de omschakelingsomstandigheden		Tvj op	-40		175	°C