logo

details van de producten

Created with Pixso. Thuis Created with Pixso. Producten Created with Pixso.
IGBT Power Module
Created with Pixso.

1200V Aandrijving van de de Moduleff200r12kt4 Macht van de omschakelaars Dubbele IGBT Halve Brug 62mm Serie C

1200V Aandrijving van de de Moduleff200r12kt4 Macht van de omschakelaars Dubbele IGBT Halve Brug 62mm Serie C

Merknaam: Infineon
Modelnummer: FF200R12KT4
MOQ: 1 set
Betalingsvoorwaarden: T/T
Toeleveringsvermogen: 1000sets
Gedetailleerde informatie
Plaats van herkomst:
China
VCES:
1200V
IC nom IC:
200A
IC:
320A
ICRM:
400A
Verpakking Details:
Houten doos verpakking
Levering vermogen:
1000sets
Markeren:

hoge machts igbt module

,

automobieligbt

Productbeschrijving

helft-brug 62mm Serie C 1200 V, module van de de machtsaandrijving van omschakelaars de dubbele IGBT modules FF200R12KT4

Maximum Geschatte Waarden

Collector-zender voltage Tvj = 25°C VCES 1200 V
Ononderbroken gelijkstroom-collectorstroom TC = 100°C, maximum Tvj = 175°C
TC = 25°C, maximum Tvj = 175°C
IC nom
IC

200

320

A

A

Herhaalde piekcollectorstroom tP = 1 Mej. ICRM 400 A
Totale machtsdissipatie

TC = 25°C,

Maximum Tvj = 175°C

Ptot 1100 W
Poort-zender piekvoltage VGES +/-20 V

Kenmerkende Waarden

Collector-zender verzadigingsvoltage

IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C

IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C
IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C

Gezeten VCE 1,75
2,05
2,10
2,15 V
VV
Het voltage van de poortdrempel IC = 7,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,2 5,8 6,4 V
Poortlast VGE = -15 V… +15 V QG 1,80 µC
Interne poortweerstand Tvj = 25°C RGint 3,8
Inputcapacitieve weerstand F = 1 Mhz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 14,0 N-F
Omgekeerde overdrachtcapacitieve weerstand F = 1 Mhz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,50 N-F
De collector-zender sneed stroom af VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C BEVRIEST 5,0 mA
Poort-zender lekkagestroom VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 Na
De tijd van de inschakelenvertraging, aanleidinggevende lading IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C
td 0,16 0,17
0,18
µs
µs
µs
Stijgingstijd, aanleidinggevende lading IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C
RT 0.045 0,04
0,50
µs
µs
µs
De tijd van de productvertraging, aanleidinggevende lading IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C
td weg 0,45 0,52
0,54
µs
µs
µs
Dalingstijd, aanleidinggevende lading IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C
tf 0,10 0,16
0,16
µs
µs
µs
Het verlies van de inschakelenenergie per impuls IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 4000 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C
Eeuwigheid 10,0
15,0
17,0
19,0
30,0
36,0
Het verlies van de productenergie per impuls IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 4500 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 2,4 Ω Tvj = 150°C
Eoff 14,0
20,0
23,0
mJ
mJ
mJ
Sc-gegevens VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V
VCEmax = VCES - LsCE ·di/dt tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
ISC 800 mJ
mJ
mJ
Thermische weerstand, verbinding tegen geval IGBT/per IGBT RthJC 0.135 K/W
Thermische weerstand, caseto heatsink ELKE IGBT/PER IGBT
λPaste = 1 W (m·K)/λgrease = 1 W (m·K)
RthCH 0.034 K/W
Temperatuur in de omschakelingsomstandigheden Tvj op -40 150

°C

1200V Aandrijving van de de Moduleff200r12kt4 Macht van de omschakelaars Dubbele IGBT Halve Brug 62mm Serie C 0

1200V Aandrijving van de de Moduleff200r12kt4 Macht van de omschakelaars Dubbele IGBT Halve Brug 62mm Serie C 1