logo

details van de producten

Created with Pixso. Thuis Created with Pixso. Producten Created with Pixso.
IGBT Power Module
Created with Pixso.

De Module FF50R12RT4 34mm 1200V Dubbele IGBT van de Infineonigbt Macht met Snelle Geul/Fieldstop

De Module FF50R12RT4 34mm 1200V Dubbele IGBT van de Infineonigbt Macht met Snelle Geul/Fieldstop

Merknaam: Infineon
Modelnummer: FF50R12RT4
MOQ: 1 set
Betalingsvoorwaarden: T/T
Toeleveringsvermogen: 1000sets
Gedetailleerde informatie
Plaats van herkomst:
China
VCES:
1200V
IC nom:
50A
ICRM:
100A
Toepassingen:
Motoraandrijving
Elektroeigenschappen:
Lage Omschakelingsverliezen
Verpakking Details:
Houten doos verpakking
Levering vermogen:
1000sets
Markeren:

hoge machts igbt module

,

automobieligbt

Productbeschrijving

Infineonff50r12rt4 bekende 34 mm 1200V dubbele IGBT modules met snelle Gecontroleerde geul/fieldstop IGBT4 en Zender


Typische Toepassingen

• Hoge Machtsconvertors

• Motoraandrijving

• UPS-Systemen

Elektroeigenschappen

• Uitgebreide Verrichtingstemperatuur Tvj op

• Lage Omschakelingsverliezen

• Lage VCEsat

• Tvj op = 150°C

• VCEsat met positieve Temperatuurcoëfficiënt

Mechanische Eigenschappen

• Geïsoleerde Grondplaat

• Standaardhuisvesting

IGBT, Omschakelaar

Maximum Geschatte Waarden

Collector-zender voltage Tvj = 25°C VCES 1200 V
Ononderbroken gelijkstroom-collectorstroom TC = 100°C, maximum Tvj = 175°C IC nom 50 A
Herhaalde piekcollectorstroom tP = 1 Mej. ICRM 100 A
Totale machtsdissipatie TC = 25°C, maximum Tvj = 175°C Ptot 285 W
Poort-zender piekvoltage VGES +/-20 V

Kenmerkende Waarden

Collector-zender verzadigingsvoltage IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C
IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C
IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C
Gezeten VCE 1,85
2,15
2,25
2,15 V
VV
Het voltage van de poortdrempel IC = 1,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,2 5,8 6,4 V
Poortlast VGE = -15 V… +15 V QG 0,38 µC
Interne poortweerstand Tvj = 25°C RGint 4,0
Inputcapacitieve weerstand F = 1 Mhz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,80 N-F
Omgekeerde overdrachtcapacitieve weerstand F = 1 Mhz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,10 N-F
De collector-zender sneed stroom af VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C BEVRIEST 1.0 mA
Poort-zender lekkagestroom VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 Na
De tijd van de inschakelenvertraging, aanleidinggevende lading IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGon = 15 Ω Tvj = 150°C
td 0,13 0,15
0,15
µs
µs
µs
Stijgingstijd, aanleidinggevende lading IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGon = 15 Ω Tvj = 150°C
RT 0,02 0,03
0.035
µs
µs
µs
De tijd van de productvertraging, aanleidinggevende lading IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C
td weg 0,30 0,38
0,40
µs
µs
µs
Dalingstijd, aanleidinggevende lading IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C
tf 0.045 0,08
0,09
µs
µs
µs
Het verlies van de inschakelenenergie per impuls IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 1300 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 15 Ω Tvj = 150°C
Eeuwigheid 4,50
6,50
7,50
19,0
30,0
36,0
Het verlies van de productenergie per impuls IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 3800 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C
Eoff 2,50
4,00
4,50
mJ
mJ
mJ
Sc-gegevens VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
VCEmax = VCES - LsCE ·di/dt tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
ISC 180 mJ
mJ
mJ
Thermische weerstand, verbinding tegen geval IGBT/per IGBT RthJC 0,53 K/W
Thermische weerstand, caseto heatsink ELKE IGBT/PER IGBT
λPaste = 1 W (m·K)/λgrease = 1 W (m·K)
RthCH 0.082 K/W
Temperatuur in de omschakelingsomstandigheden Tvj op -40 150 °C